Un equipo de investigadores de la Universidad de Fudan (China) presentó una memoria RAM capaz de realizar 25.000 millones de operaciones por segundo, o 400 picosegundos por operación, lo que la convierte en 10.000 veces más rápida que las memorias actuales.
Este avance, llamado PoX, se basa en un material tan importante como el grafeno, que podría eliminar los tiempos de carga en los móviles, ordenadores y otros dispositivos, llevando la experiencia de usuario a un nivel jamás visto.
El secreto de esta RAM reside en el grafeno, que permite que la carga eléctrica se mueva a través de la memoria sin apenas resistencia, lo que se traduce en una velocidad de procesamiento de datos extremadamente alta.
Con esta memoria, los datos pueden escribirse en solo 400 picosegundos, lo que es un salto significativo respecto a la DRAM tradicional, que tarda mucho más tiempo. Este rendimiento se logra gracias a un fenómeno conocido como “superinyección”, que llena las células de memoria con electrones de manera ultrarrápida.
Además, la memoria no es volátil, significa que mantiene los datos incluso cuando no hay electricidad, similar a lo que sucede con una memoria USB.
Esto es una ventaja enorme frente a la DRAM o SRAM, que requieren energía constante para almacenar datos. Con PoX, el concepto de perder información al apagar un dispositivo podría ser cosa del pasado.
Con su capacidad para operar a una velocidad tan alta y de forma no volátil, PoX podría mejorar enormemente los servidores de IA, permitiéndoles realizar cálculos a velocidades sin precedentes y con un menor consumo energético.